另有新的全部字車燈技能，好比門路投影，辨别率更高，乃至提高到了上万像素的范围，必要led的制程工藝晋升到小于50μm x 50μm的micro级别，并且每颗led芯片在光學節制上相互自力，led芯片間隙极小。這時候就必需利用經由過程CMOS集成的電路互連，单個led颗粒可以自力節制，從而經由過程更高档此外协定来節制門路上的成像圖案。
對led芯片和CMOS的集成，一個重要挑战是比拟度和总體效力。當单颗micro-led芯片的尺寸為40μm 時，在每颗芯片之間几近没有空間来断绝串光。若是Micro-led之間的間距留10μm，如许将使led的發快速戒菸方法,光面积减小到30μm x 30μm，與-40μm x 40μm的發光面积比拟，面积减小了40%以上。面积削减而要到达一样的光输出，必要响應的增长電流密度，從而将使总體的光學效力低落10%。micro-led中的光電跃迁和邊沿的非辐射重组将進一步按捺效力，解决法子是使led發光面积扩展，但這反過来又會敏捷增长led和體系的本錢。是以這是一對互相抵牾的解决方案。