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【車燈核心技術報告2104】車燈LED光源

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發表於 2023-2-17 17:04:31 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
車燈作為汽車上最首要的零部件之一,跟着led新照明技能和相干產物的開辟,和購車者對更高汽車照明質量、更平安照明情况的寻求,今朝正朝着高亮度、低能耗,高相應,智能化標的目的成长,功效愈来愈丰硕。

從近来上海車展公布的不少車型可以看出,車燈的智能化、微型化還是汽車車燈設計的一大趋向。這些趋向必将给大燈的遠近光設計带来了不少挑战,與此同時,集成到大燈的功效愈来愈多,好比ADB, 門路投影等。吸塵器,近光再也不局限因而一個静止的光型,遠光也配备有智能防眩目,同時一些附加的功效用来合用各類繁杂的气候前提,門路环境和交通状態。

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总之,跟着数字化和智能化的成长,車燈功效愈来愈多,而造型请求启齿尺寸愈来愈小,都给led光源带来了纷歧样的挑战。這些全新的挑战鞭策了LED光源向3個维度成长,即高亮度、微型化和集成化。下面咱们就来别离先容這3個LED光源的成长標的目的。

Section 1

高亮度

為了應答車燈變薄的趋向,led光源尺寸也必要扁平化,由于車燈的启齿尺寸越小,必将致使更多的光消耗,從而全部體系的光學效力更低,若要包管大燈的照明機能稳定,则必要光源尺寸也進一步的扁平化和高亮度化。

下圖阐明了車燈高度和led光源尺寸的一個線性對應瓜葛,比方,要設計12妹妹透镜高度的車燈,来實現光學扩大量為3°的像素高度,led芯片的尺寸必需節制在0.68妹妹之內,不然全部光學體系的效力會大大低落。

圖1:遠近光透镜高度和led光源尺寸之間的線性對應瓜葛磁鐵,。

即使CCC/ECE/SAE 容许遠近光照明仅知足最低律例值,可是對大大都車廠而言,必要斟酌的是终极用户的请求,一般而言,600lm的近光即使合适律例请求,對终极用户来讲也偏暗。合适用户请求的LED近光,如今最少必要路面照明800 lm到1000 lm。假設光學模组的光學效力為40%至55%,则近光led光源的光通量應最少為1500 lm至2000 lm。再假設大燈內有一到三個近光透镜模组,则每一個LED透镜模组的光源光输出為500 lm到2000 lm的光源。是以,經由過程以上简略的数學计较,對付凡是發光面积為~1 妹妹的大功率LED颗粒,亮度程度要到达150 Mcd/m到500 Mcd/m的亮度,才能到达光输出别离為500 lm和2000 lm。

當前主流的LED制程技能可以實現200 Mcd/m摆布的亮度程度。為了到达更高的機能程度,则必要Led供给商们開辟下一代高亮度led芯片

圖2為假如為12 妹妹高的薄透镜大燈的示例。它由两個近光透镜模组和两個遠光透镜模组構成。若利用0.68 妹妹高度的单芯led,當光學扩大度的像素高度小于2°時,按照圖1 的函数瓜葛,遠光透镜模组的高度值超越了它的光學扩大量极限。斟酌到光學零件和玻璃透镜的光丧失,進一步的光學摹拟可以计较出模组的光學效力為38%。

圖2:假如具备四個高度為12 妹妹的透镜模组的示例體系

圖3:左:近光光學摹拟。右:遠光光學摹拟。

若要led芯片超越200 Mcd/m的亮度,则需從新優化LED芯片布局和全部光學體系,以期得到更高的能量密度。在led芯片范畴,最大限度地防止led效力低落是焦點。

如今的led芯片電流密度通常是3 A/妹妹摆布,若要到达200 Mcd/m的能量密度,则led芯片的電流密度要提高到5~8 A/妹妹,是以必要從新設計led外延區,在外延區提高電流密度和電迁徙,并尽量削减對荧光粉的按捺。若要到达500 Mcd/m的能量密度,咱们估计在電流密度為8 A/妹妹的环境下,led 的结點处必要>30%的光電轉换效力。是以必要優化車燈散热體系。如圖4所示,LED芯片在更高電流密度下将從優化的車燈散热體系中受益。结温從110°C降至85°C時,估计電流将削减近1 A。如许的低落對效力和led寿命有很大的益处。

圖4:在分歧结温下 LED光通量和输入電流的瓜葛

空中瑜伽,4為分歧led结温下光输出與電流的瓜葛曲線。LED芯片的發光面积為1妹妹。虚線暗示為1570 lm的极限值,至關于500 Mcd/m(假如遠場中的朗伯辐射模式和全部發光面积的亮度平均)。

Section 2

微型化

另有新的車燈功效如矩阵ADB,请求每颗led芯片都能零丁供電和節制,成百上千颗的led芯片集成在一块led板上,這致使了ADB模组的尺寸增长,同時體系的光學效力和散热也是一個大問題。自顺應ADB功效的集成進一步鞭策了led光源的微型化。

現在,基于单颗LED阵列的ADB矩阵模组已上市多年。但是,這些模组凡是必要設計前置光學體系,這些前置光學體系加深了透镜模组的深度(见圖5左)。若是利用尺寸更小的微型化高亮度led阵列,则可以防止分外的前置光學體系,從而低落模组的深度(见圖5右)。

圖5:左:利用准直透镜的矩阵模组的光學體系。右圖:慎密分列LED阵列直接成像的光學體系。

今朝汽車级此外微型化led阵列的出產法子是先在板上做出led芯片阵列,然後經由過程填充/侧涂硅基密封剂,如许来發生光學的断绝。這類法子有很多错误谬误。起首,填充层的不透明性跟着填充厚度的增长而低落,是以很难削减led芯片之間的杂散光,是以,矩阵分區像素之間的比拟度很低。别的,在建立大于3排的led阵列時,制造和本錢方面的挑战很大。為领會决光學機能和本錢問題,必要開辟新的led芯片布局,從而實現慎密分列、最小串光和可阵列設置装备摆設的微型化led芯片(如圖6显示的微型化led示用意)

圖6:微型化led的示用意。

圖7展現的是一個矩阵大燈的什物示例,利用13個間距很近的LUXEON Neo Exact LED,每相邻2颗的間距只有50μm。矩阵模组利用的是一個直径為40妹妹的圆透镜,經由過程光學摹拟,透镜中間可以實現一個最大比拟度為1:200的像素分區亮點。為了使遠光光型散布加倍平均并补充像素之間因為間隙發生的暗區,必要優化透镜的設計,從而使像素分區之間加倍腻滑。若是利用硅基密封剂涂层的一样LED阵列,像素的比拟度只有1:60。

圖7:利用13颗慎密分列的LUXEON Neo Exact LED的矩阵體系,led阵列發光間隙只有50μm。左上:體系前視圖,右上:電路板圖纸,左下:所有LED亮起的摹拟光型,右下:每秒LED熄灭的摹拟光型。

Section 3

集成化

另有新的全部字車燈技能,好比門路投影,辨别率更高,乃至提高到了上万像素的范围,必要led的制程工藝晋升到小于50μm x 50μm的micro级别,并且每颗led芯片在光學節制上相互自力,led芯片間隙极小。這時候就必需利用經由過程CMOS集成的電路互連,单個led颗粒可以自力節制,從而經由過程更高档此外协定来節制門路上的成像圖案。

連系這些新的数字大燈技能方案,给開辟倾覆性立异的micro-led體系提出了需求,必要同時實現高辨别率和微型光學設計。

功效集成化的最终利用是更高辨别率的数字大燈。若是LED阵列的辨别率和尺寸精度足够高,一個数字大燈便可以發生各類光型。包括高辨别率ADB、AFS功效、與导航或摄像體系相联系關系的随動轉向、近光截止線的自顺應调理功效,車道標線、停滞物和標記高亮显示等。micro-LED的需求均可以從這些利用中派生出来。

對付ADB體系,最少必要程度標的目的+/-12°的發光角度。為了给圖案建立足够较着的截止線,最少必要1:250的比拟度。對付遠光的ADB分區,方针是具有较小的辨别率,一個0.085°的亮點在50m遠处是一個宽7.5厘米,长4米的一個矩形亮斑,咱们是以可以据此推算出响應的ADB功效必要几多的辨别率。好比對車道投影来讲,假如是1:3纵横比的led阵列板,咱们可以直接计较出實現清嬰兒益生菌,楚的車道投影必要起码19000像素。

一個凡是的遠光必要在250 m內發生最少1 lx照度的光(至關于65000 cd)。經由過程光學公式换算,照度=光通量/立體角的瓜葛,咱们可以计较出每芯片所需的光通量為0.14 lm/芯。假如ADB體系33%的光學效力,每颗LED芯片必要供给0.43 lm/芯。若是利用90 Mcd/m的公道光源亮度,咱们可以估算micro-led阵列的单科發光面积為40μm x 40μm。

若是必要led阵列的系统布局以知足市場ADB的需求,存在很多技能难點。起首,要建立一個约20000個密集像素的micro-LED阵列,很较着micro-led阵列必需由单块或几個大的子块组装而成,而每颗micro-led是一個芯片分區。每颗芯片的寻址必需經由過程CMOS驱動来完成(见圖8)。

圖8: led 芯片和 CMOS 集成 (道理圖)

對led芯片和CMOS的集成,一個重要挑战是比拟度和总體效力。當单颗micro-led芯片的尺寸為40μm 時,在每颗芯片之間几近没有空間来断绝串光。若是Micro-led之間的間距留10μm,如许将使led的發快速戒菸方法,光面积减小到30μm x 30μm,與-40μm x 40μm的發光面积比拟,面积减小了40%以上。面积削减而要到达一样的光输出,必要响應的增长電流密度,從而将使总體的光學效力低落10%。micro-led中的光電跃迁和邊沿的非辐射重组将進一步按捺效力,解决法子是使led發光面积扩展,但這反過来又會敏捷增长led和體系的本錢。是以這是一對互相抵牾的解决方案。

無論若何,以上這些挑战都是led芯片廠商的挑战,跟着技能的成长,都是可以降服的。

Section 4

LED光源的总结和预測

综上所述,新造型新功效在鞭策led技能的成长,而LED新技能也正在快速鞭策汽車大燈的新造型和新功效利用。提高led的亮度程度,可以實現超薄并且機能高的前照燈設計。Led的微型化 ,可以显著削减ADB矩阵大燈的尺寸。而micro-LED的進一步成长将使汽車数字大燈的功效集成與所需的紧凑性相連系。何况micro-LED另有一個生成的上風,即只在必要時發生光,這象征着對数字大燈来讲,這類技能比拟DMD有着显著的效力上風。并且從久遠来看,與分立的LED阵列比拟,彻底集成的封装micro-led工藝将显著節流本錢。是以micro-LED阵列将是智能数字化前照燈的最有用和最具本錢效益的解决方案。据悉,上万像素的数字化大燈已完成样品試制,估计2年內装置到新車上市。

——The End——
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